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        行業動態

        簡介講述氧化亞硅真空升華爐
        瀏覽人數:156 次更新時間:2023-12-15


              氧化亞硅真空升華爐是用于制備高純氧化亞硅材料,升華爐主要提高氧化亞硅的純度,改變電池負極容量值。

              氧化亞硅真空升華爐應用于半導體硅片的制備,也可應用于氧化亞硅、碳化硅等帶半導體材料的研究與開發,還可用于微電子器件、光電子器件、光子晶體、生物醫學工程、納米技術等領域。

              該設備的特點是具有高真空度和加熱控制系統的精確性,能夠實現晶體的高效分離和高質量產品的生產。在氧化亞硅真空升華爐中,可以通過控制加熱溫度和時間、升華室的真空度等因素,實現不同類型和規格的晶體生產。

              該設備有收集系統、升華系統、加熱系統、溫控系統、真空系統、冷卻系統六大組成。

              升華系統:由加熱區和收集區組成,加熱區由感應線圈、重質剛玉、石墨硬氈、等靜壓石墨組成;收集區由310S不銹鋼及保溫層組成
              加熱系統:采用感應加熱,電源采用IGBT節能型電源,噪音小,比傳統晶閘管電源節能15%左右

              溫控系統:采用 PLC 觸屏集中控制方式,自動化控制,帶網口,可實現遠程控制
              真空系統:由多級真空泵、真空閥,壓力控制器及管路組成

              冷卻系統:配置閉式冷卻系統,內循環用去離子水,不會造成設備管路結垢,內循環水損失小,外循環用自來水,自動補水,風機自啟動散熱;散熱效果好,集成環保,占地面積小等特點。


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